GE DS200ITXDG1A DS200ITXDG1AAA IGBT Q DB ਸਨੱਬਰ ਕਾਰਡ
ਵੇਰਵਾ
| ਨਿਰਮਾਣ | GE |
| ਮਾਡਲ | DS200ITXDG1A DS200ITXDG1AAA |
| ਆਰਡਰਿੰਗ ਜਾਣਕਾਰੀ | DS200ITXDG1A DS200ITXDG1AAA |
| ਕੈਟਾਲਾਗ | ਸਪੀਡਟ੍ਰੋਨਿਕ ਮਾਰਕ ਵੀ |
| ਵੇਰਵਾ | GE DS200ITXDG1A DS200ITXDG1AAA IGBT Q DB ਸਨੱਬਰ ਕਾਰਡ |
| ਮੂਲ | ਸੰਯੁਕਤ ਰਾਜ ਅਮਰੀਕਾ (ਅਮਰੀਕਾ) |
| ਐਚਐਸ ਕੋਡ | 85389091 |
| ਮਾਪ | 16cm*16cm*12cm |
| ਭਾਰ | 0.8 ਕਿਲੋਗ੍ਰਾਮ |
ਵੇਰਵੇ
DS200ITXDG1A IGBT ਸਨਬਰ ਬੋਰਡ MK V ਜਨਰਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ
DS200ITXDG1A ਇੱਕ ਬੋਰਡ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਹੈ ਜਿਸਨੂੰ GE ਦੁਆਰਾ ਸਪੀਡਟ੍ਰੋਨਿਕ ਮਾਰਕ V ਸਿਸਟਮ ਦੇ ਅੰਦਰ ਵਰਤਣ ਲਈ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ। MKV ਗੈਸ ਅਤੇ ਭਾਫ਼ ਟਰਬਾਈਨਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਲਈ GE ਦੇ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਵਿਕਸਤ ਸਪੀਡਟ੍ਰੋਨਿਕ ਸਿਸਟਮਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹੈ। ਇਸ ਵਿੱਚ ਫਾਲਟ-ਟਹਿਲਾਉਣ ਵਾਲਾ TMR ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਨਾਜ਼ੁਕ ਨਿਯੰਤਰਣਾਂ ਅਤੇ ਸੁਰੱਖਿਆ ਮਾਪਦੰਡਾਂ 'ਤੇ ਤਿੰਨ ਵਿੱਚੋਂ ਦੋ ਵੋਟਿੰਗ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।
MKV ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਸਿਸਟਮਾਂ ਲਈ ਸਿੰਪਲੈਕਸ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਸੈੱਟਅੱਪ ਕਰਨ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਫਿਰ ਵੀ ਇਸ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਨਾਲ ਸਾਫਟਵੇਅਰ ਸੈਟਿੰਗਾਂ ਰਾਹੀਂ ਫਾਲਟ-ਟਹਿਲਰੈਂਟ ਕੰਟਰੋਲ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ। MKV ਬੋਰਡਾਂ ਨੂੰ AX ਕੰਟਰੋਲ ਤੋਂ ਰੀਕੰਡੀਸ਼ਨਡ, ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਟੈਸਟ ਕੀਤੀਆਂ ਇਕਾਈਆਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਖਰੀਦਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
DS200ITXDG1A ਇੱਕ ਛੋਟਾ ਬੋਰਡ ਹੈ ਜੋ ਇੱਕ IGBT ਸਨੱਬਰ ਬੋਰਡ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਸਨੱਬਰ ਊਰਜਾ ਸੋਖਣ ਵਾਲੇ ਸਰਕਟਾਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ ਜੋ ਵੋਲਟੇਜ ਸਪਾਈਕਸ ਨੂੰ ਦਬਾ ਸਕਦੇ ਹਨ ਜੋ ਇੱਕ ਸਵਿੱਚ ਖੁੱਲ੍ਹਣ 'ਤੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। ਸਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਜਾਂ ਮਕੈਨੀਕਲ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਇੱਕ ਸਹਾਇਕ ਬੋਰਡ ਹੈ ਜੋ ਇੱਕ ਵੱਡੇ ਮਦਰਬੋਰਡ ਨਾਲ ਜੁੜਦਾ ਹੈ।
DS200ITXDG1A ਨੂੰ ਹਰ ਕੋਨੇ 'ਤੇ ਡ੍ਰਿਲ ਹੋਲ ਅਤੇ ਇਸਦੇ ਕਿਨਾਰਿਆਂ 'ਤੇ ਛੋਟੇ ਇੰਡੈਂਟਸ ਨਾਲ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਬੋਰਡ ਵਿੱਚ ਕਈ ਹੀਟਸਿੰਕ ਹਨ ਜੋ ਬਿਲਟ-ਅੱਪ ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਜਲਦੀ ਖਤਮ ਕਰਨ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੰਦੇ ਹਨ। ਇਹ ਕਈ ਸਟੈਬ-ਆਨ ਕਨੈਕਟਰਾਂ, ਸਿਰੇਮਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰਾਂ, ਡਾਇਓਡਾਂ, ਵਰਟੀਕਲ ਪਿੰਨ ਹੈਡਰ ਕਨੈਕਟਰਾਂ, ਅਤੇ ਅੱਠ Wima FKP 1 ਪੌਲੀਪ੍ਰੋਪਾਈਲੀਨ ਕੈਪੇਸੀਟਰਾਂ ਦੁਆਰਾ ਭਰਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ।
ਇਹ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਉੱਚ ਪਲਸ ਡਿਊਟੀ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ ਅਤੇ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਹਨ। ਇਹਨਾਂ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਫੈਕਟਰ ਹੈ ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਇੱਕ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਕੈਪੇਸਿਟੈਂਸ ਤਬਦੀਲੀ ਹੈ। ਇਹਨਾਂ ਹਿੱਸਿਆਂ ਨੂੰ ਬੋਰਡ ਦੇ ਉਲਟ ਪਾਸੇ ਚਾਰ ਦੀਆਂ ਦੋ ਲਾਈਨਾਂ ਵਿੱਚ ਬੋਰਡ 'ਤੇ ਰੱਖਿਆ ਗਿਆ ਹੈ।
DS200ITXDG1A GE ਦੁਆਰਾ ਸਪੀਡਟ੍ਰੋਨਿਕ ਮਾਰਕ V ਸਿਸਟਮ ਦੇ ਅੰਦਰ ਵਰਤਣ ਲਈ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਇੱਕ ਬੋਰਡ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਹੈ ਅਤੇ ਇਹ ਇੱਕ ਸਹਾਇਕ ਬੋਰਡ ਹੈ ਜੋ ਇੱਕ ਵੱਡੇ ਮਦਰਬੋਰਡ ਨਾਲ ਜੁੜਦਾ ਹੈ। MKV ਗੈਸ ਅਤੇ ਭਾਫ਼ ਟਰਬਾਈਨਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਲਈ GE ਦੇ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਪੀਡਟ੍ਰੋਨਿਕ ਸਿਸਟਮਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹੈ। ਇਹ ਬੋਰਡ ਫਾਲਟ-ਟਹਿਲਰਨ TMR ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ ਨਾਲ ਲੈਸ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਨਾਜ਼ੁਕ ਨਿਯੰਤਰਣਾਂ ਅਤੇ ਸੁਰੱਖਿਆ ਮਾਪਦੰਡਾਂ 'ਤੇ ਤਿੰਨ ਵਿੱਚੋਂ ਦੋ ਵੋਟਿੰਗ ਹਨ। ਇਸ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਲਈ ਸਿੰਪਲੈਕਸ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਸਥਾਪਤ ਕਰਨ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਵੀ ਹੈ ਅਤੇ ਫਿਰ ਵੀ ਇਸ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਨਾਲ ਸਾਫਟਵੇਅਰ ਸੈਟਿੰਗਾਂ ਦੁਆਰਾ ਫਾਲਟ-ਟਹਿਲਰਨ ਨਿਯੰਤਰਣ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਬੋਰਡ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇੱਕ IGBT ਸਨਬਰ ਬੋਰਡ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਊਰਜਾ ਸੋਖਣ ਵਾਲੇ ਸਰਕਟ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਜੋ ਵੋਲਟੇਜ ਸਪਾਈਕਸ ਨੂੰ ਦਬਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਜੋ ਉਦੋਂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਇੱਕ ਸਵਿੱਚ ਖੁੱਲ੍ਹਦਾ ਹੈ ਭਾਵੇਂ ਉਹ ਸਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਹੋਵੇ ਜਾਂ ਮਕੈਨੀਕਲ। ਇਸਨੂੰ ਹਰੇਕ ਕੋਨੇ 'ਤੇ ਡ੍ਰਿਲ ਹੋਲ ਅਤੇ ਇਸਦੇ ਕਿਨਾਰਿਆਂ ਦੇ ਨਾਲ ਛੋਟੇ ਇੰਡੈਂਟਸ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਕਈ ਹੀਟਸਿੰਕਸ ਦੇ ਨਾਲ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਬਿਲਟ-ਅੱਪ ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਜਲਦੀ ਖਤਮ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕੇ।
ਕਈ ਸਟੈਬ-ਆਨ ਕਨੈਕਟਰਾਂ, ਸਿਰੇਮਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰਾਂ, ਡਾਇਓਡਾਂ, ਵਰਟੀਕਲ ਪਿੰਨ ਹੈਡਰ ਕਨੈਕਟਰਾਂ ਅਤੇ ਅੱਠ ਵਿਮਾ ਐਫਕੇਪੀ 1 ਪੌਲੀਪ੍ਰੋਪਾਈਲੀਨ ਕੈਪੇਸੀਟਰਾਂ ਨਾਲ ਭਰੇ ਹੋਏ ਹਨ। ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਉੱਚ ਪਲਸ ਡਿਊਟੀ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ, ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਹਨ ਅਤੇ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਫੈਕਟਰ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਤਾਪਮਾਨ ਬਨਾਮ ਇੱਕ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਕੈਪੇਸੀਟੈਂਸ ਤਬਦੀਲੀ ਵੀ ਰੱਖਦੇ ਹਨ।
