ਉਤਪਾਦ

DS200ITXDG1A IGBT ਸਨਬਰ ਬੋਰਡ MK V ਜਨਰਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ

DS200ITXDG1A ਇੱਕ ਬੋਰਡ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਹੈ ਜੋ GE ਦੁਆਰਾ ਸਪੀਡਟ੍ਰੋਨਿਕ ਮਾਰਕ V ਸਿਸਟਮ ਵਿੱਚ ਵਰਤਣ ਲਈ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ।MKV ਗੈਸ ਅਤੇ ਭਾਫ਼ ਟਰਬਾਈਨਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਲਈ GE ਦੇ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਵਿਕਸਤ ਸਪੀਡਟ੍ਰੋਨਿਕ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹੈ।ਇਸ ਵਿੱਚ ਨਾਜ਼ੁਕ ਨਿਯੰਤਰਣ ਅਤੇ ਸੁਰੱਖਿਆ ਮਾਪਦੰਡਾਂ 'ਤੇ ਦੋ-ਚੋਂ-ਤਿੰਨ ਵੋਟਿੰਗ ਦੇ ਨਾਲ ਨੁਕਸ-ਸਹਿਣਸ਼ੀਲ TMR ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ।

MKV ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਲਈ ਸਿੰਪਲੈਕਸ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਸਥਾਪਤ ਕੀਤੇ ਜਾਣ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਅਜੇ ਵੀ ਇਸ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੇ ਨਾਲ ਸੌਫਟਵੇਅਰ ਸੈਟਿੰਗਾਂ ਦੁਆਰਾ ਨੁਕਸ-ਸਹਿਣਸ਼ੀਲ ਨਿਯੰਤਰਣ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ।MKV ਬੋਰਡਾਂ ਨੂੰ ਏਐਕਸ ਕੰਟਰੋਲ ਤੋਂ ਰੀਕੰਡੀਸ਼ਨਡ, ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਟੈਸਟ ਕੀਤੇ ਯੂਨਿਟਾਂ ਵਜੋਂ ਖਰੀਦਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

DS200ITXDG1A ਇੱਕ ਛੋਟਾ ਬੋਰਡ ਹੈ ਜੋ ਇੱਕ IGBT ਸਨਬਰ ਬੋਰਡ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਸਨਬਰਸ ਨੂੰ ਊਰਜਾ ਸੋਖਣ ਵਾਲੇ ਸਰਕਟਾਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਡਿਜ਼ਾਇਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਜੋ ਵੋਲਟੇਜ ਸਪਾਈਕਸ ਨੂੰ ਦਬਾ ਸਕਦੇ ਹਨ ਜੋ ਇੱਕ ਸਵਿੱਚ ਖੁੱਲ੍ਹਣ 'ਤੇ ਵਾਪਰਦੀਆਂ ਹਨ।ਸਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਜਾਂ ਮਕੈਨੀਕਲ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਇਹ ਇੱਕ ਸਹਾਇਕ ਬੋਰਡ ਹੈ ਜੋ ਇੱਕ ਵੱਡੇ ਮਦਰਬੋਰਡ ਨਾਲ ਜੁੜਦਾ ਹੈ।

DS200ITXDG1A ਨੂੰ ਹਰੇਕ ਕੋਨੇ 'ਤੇ ਡ੍ਰਿਲ ਹੋਲਜ਼ ਅਤੇ ਇਸਦੇ ਕਿਨਾਰਿਆਂ ਦੇ ਨਾਲ ਛੋਟੇ ਇੰਡੈਂਟਸ ਦੇ ਨਾਲ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।ਬਿਲਟ-ਅੱਪ ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਜਲਦੀ ਖਤਮ ਕਰਨ ਲਈ ਬੋਰਡ ਵਿੱਚ ਕਈ ਹੀਟਸਿੰਕਸ ਹਨ।ਇਹ ਕਈ ਸਟੈਬ-ਆਨ ਕਨੈਕਟਰਾਂ ਦੁਆਰਾ, ਸਿਰੇਮਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ, ਡਾਇਡਸ, ਵਰਟੀਕਲ ਪਿੰਨ ਹੈਡਰ ਕਨੈਕਟਰਾਂ ਦੁਆਰਾ, ਅਤੇ ਅੱਠ Wima FKP 1 ਪੌਲੀਪ੍ਰੋਪਾਈਲੀਨ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੁਆਰਾ ਭਰਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਇਹ ਕੈਪਸੀਟਰ ਉੱਚ ਪਲਸ ਡਿਊਟੀ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ ਅਤੇ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਹਨ।ਉਹਨਾਂ ਕੋਲ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਫੈਕਟਰ ਹੈ ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਬਨਾਮ ਇੱਕ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਸਮਰੱਥਾ ਤਬਦੀਲੀ ਹੈ।ਇਹ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਬੋਰਡ ਦੇ ਉਲਟ ਪਾਸੇ ਚਾਰ ਦੀਆਂ ਦੋ ਲਾਈਨਾਂ ਵਿੱਚ ਬੋਰਡ ਉੱਤੇ ਰੱਖੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।

DS200ITXDG1A ਇੱਕ ਬੋਰਡ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਹੈ ਜੋ GE ਦੁਆਰਾ ਸਪੀਡਟ੍ਰੋਨਿਕ ਮਾਰਕ V ਸਿਸਟਮ ਵਿੱਚ ਵਰਤਣ ਲਈ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਸਹਾਇਕ ਬੋਰਡ ਹੈ ਜੋ ਇੱਕ ਵੱਡੇ ਮਦਰਬੋਰਡ ਨਾਲ ਜੁੜਦਾ ਹੈ।MKV ਗੈਸ ਅਤੇ ਭਾਫ਼ ਟਰਬਾਈਨਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਲਈ GE ਦੇ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਵਿਕਸਤ ਸਪੀਡਟ੍ਰੋਨਿਕ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹੈ।ਇਹ ਬੋਰਡ ਨਾਜ਼ੁਕ ਨਿਯੰਤਰਣਾਂ ਅਤੇ ਸੁਰੱਖਿਆ ਮਾਪਦੰਡਾਂ 'ਤੇ ਦੋ-ਚੋਂ-ਤਿੰਨ ਵੋਟਿੰਗ ਦੇ ਨਾਲ ਨੁਕਸ-ਸਹਿਣਸ਼ੀਲ TMR ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ ਨਾਲ ਲੈਸ ਹੈ।ਇਸ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਲਈ ਸਿੰਪਲੈਕਸ ਫਾਰਮ ਵਿੱਚ ਸਥਾਪਤ ਕੀਤੇ ਜਾਣ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਵੀ ਹੈ ਅਤੇ ਫਿਰ ਵੀ ਇਸ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੇ ਨਾਲ ਸੌਫਟਵੇਅਰ ਸੈਟਿੰਗਾਂ ਰਾਹੀਂ ਨੁਕਸ-ਸਹਿਣਸ਼ੀਲ ਨਿਯੰਤਰਣ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਇਹ ਬੋਰਡ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇੱਕ IGBT ਸਨਬਰ ਬੋਰਡ ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਊਰਜਾ ਸੋਖਣ ਵਾਲੇ ਸਰਕਟ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਡਿਜ਼ਾਇਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਜੋ ਵੋਲਟੇਜ ਸਪਾਈਕਸ ਨੂੰ ਦਬਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਜੋ ਉਦੋਂ ਵਾਪਰਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਇੱਕ ਸਵਿੱਚ ਖੁੱਲ੍ਹਦਾ ਹੈ ਭਾਵੇਂ ਉਹ ਸਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਜਾਂ ਮਕੈਨੀਕਲ ਹੋਵੇ।ਇਸ ਨੂੰ ਹਰ ਕੋਨੇ 'ਤੇ ਡ੍ਰਿਲ ਹੋਲ ਅਤੇ ਇਸਦੇ ਕਿਨਾਰਿਆਂ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਕਈ ਹੀਟਸਿੰਕਸ ਦੇ ਨਾਲ ਡਿਜ਼ਾਇਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਬਿਲਟ-ਅੱਪ ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਜਲਦੀ ਖਤਮ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕੇ।

ਕਈ ਸਟੈਬ-ਆਨ ਕਨੈਕਟਰਾਂ, ਸਿਰੇਮਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਸ, ਡਾਇਡਸ, ਵਰਟੀਕਲ ਪਿੰਨ ਹੈਡਰ ਕਨੈਕਟਰ ਅਤੇ ਅੱਠ ਵਾਈਮਾ ਐਫਕੇਪੀ 1 ਪੌਲੀਪ੍ਰੋਪਾਈਲੀਨ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਉੱਚ ਨਬਜ਼ ਡਿਊਟੀ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ, ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਹਨ ਅਤੇ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਫੈਕਟਰ ਦੇ ਨਾਲ ਨਾਲ ਤਾਪਮਾਨ ਬਨਾਮ ਇੱਕ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਸਮਰੱਥਾ ਤਬਦੀਲੀ ਹੈ।